BSC160N15NS5ATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 150 V, 0.0137 ohm, 10 V, 3.8 V

表面贴装型 N 通道 56A（Tc） 96W（Tc） PG-TDSON-8-7

欧时:
Infineon MOSFET BSC160N15NS5ATMA1

得捷:
MOSFET N-CH 150V 56A TDSON

立创商城:
N沟道 150V 56A

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 150 V, 0.0137 ohm, 10 V, 3.8 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 56A 8-Pin TDSON EP T/R

BSC160N15NS5ATMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0137 Ω

极性 N-CH

耗散功率 96 W

阈值电压 3.8 V

漏源极电压Vds 150 V

连续漏极电流Ids 8.8A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 1370pF @75VVds

下降时间 2.6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 96000 mW

封装参数

引脚数 8

封装 TDSON-8

外形尺寸

封装 TDSON-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Low voltage

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

BSC160N15NS5ATMA1引脚图与封装图

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