BSC0500NSIATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

N-CH 30V 35A

表面贴装型 N 通道 35A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8-6

得捷:
MOSFET N-CH 30V 35A/100A TDSON

贸泽:
MOSFET LV POWER MOS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 35A 8-Pin TDSON EP T/R

BSC0500NSIATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 35A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 3300pF @15VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 E-fuse, CPU/GPU VR in notebooks, Or-ing, High power density voltage regulator, and, Single-phase and multiphase POL

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

BSC0500NSIATMA1引脚图与封装图

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