BCP56-10TX
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 63 @150mA, 2V
额定功率Max 1.35 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
RoHS标准
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCP56-10TX | NXP 恩智浦 | BCP56T Series - 80V, 1A NPN medium power transistors | 搜索库存 |