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BSH105
NXP 恩智浦 电子元器件分类

BSH105 N沟道MOSFET 20V 1.05A SOT-23/SC-59 marking/标记 PJ5 低噪声增益控制放大器

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流Id Drain Current| 1.05A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.2Ω/Ohm @600mA,4.5V 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 1V 耗散功率Pd Power Dissipation| Description & Applications| FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA • Very low threshold voltage VDS = 20 V • Fast switching • Logic level compatible ID = 1.05 A • Subminiature surface mount package 描述与应用| 特点符号快速参考数据 •非常低阈值电压VDS= 20 V •快速开关 •逻辑电平兼容ID=1.05 •超小型表面贴装封装

BSH105中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSH105引脚图与封装图
BSH105引脚图

BSH105引脚图

BSH105封装图

BSH105封装图

BSH105封装焊盘图

BSH105封装焊盘图

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BSH105 NXP 恩智浦 BSH105 N沟道MOSFET 20V 1.05A SOT-23/SC-59 marking/标记 PJ5 低噪声增益控制放大器 搜索库存
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型号: BSH105

品牌: NXP 恩智浦

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BSH105 N沟道MOSFET 20V 1.05A SOT-23/SC-59 marking/标记 PJ5 低噪声增益控制放大器

当前型号

型号: BSH105,215

品牌: 安世

封装:

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N 通道 MOSFET,高达 30V,Nexperia### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

BSH105和BSH105,215的区别

型号: BSH105,235

品牌: 恩智浦

封装: TO-236 N-Channel 20V 1.05A

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TO-236AB N-CH 20V 1.05A

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