BST84
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NXP
恩智浦
电子元器件分类
BST84中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 0.25A
封装参数
封装 SOT-89
外形尺寸
封装 SOT-89
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BST84引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BST84 | NXP 恩智浦 | BST84 N沟道MOSFET 200V 250mA/0.25A SOT-89 marking/标记 KN 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关 | 搜索库存 |
替代型号BST84
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BST84 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | BST84 N沟道MOSFET 200V 250mA/0.25A SOT-89 marking/标记 KN 高密度电池设计极低的RDS/压控制小信号开关 | 当前型号 |
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