BC847BHZGT116
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
电子元器件分类
额定功率 0.35 W
针脚数 3
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 450
额定功率Max 200 mW
直流电流增益hFE 200
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
ECCN代码 EAR99
BC847BHZGT116引脚图
BC847BHZGT116封装图
BC847BHZGT116封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC847BHZGT116 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 350 mW, 100 mA, 200 hFE | 搜索库存 |