
电源电压DC 28.0 V
额定电压DC 65.0 V
额定电流 3.00 A
漏源极电压Vds 65.0 V
漏源击穿电压 65.0V min
连续漏极电流Ids 3.00 A
输出功率 15.0 W
增益 13.0 dB
安装方式 Flange
封装 SOT123A
封装 SOT123A
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BLF244 | NXP 恩智浦 | VHF功率MOS晶体管 VHF power MOS transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BLF244 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT123A 65V 3A | 当前型号 | VHF功率MOS晶体管 VHF power MOS transistor | 当前型号 | |
型号: MRF166C 品牌: M/A-Com 封装: Case | 功能相似 | MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs | BLF244和MRF166C的区别 | |
型号: SD2902 品牌: 意法半导体 封装: M113 N-Channel 65V 2.5A 58300mW | 功能相似 | 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs | BLF244和SD2902的区别 | |
型号: SD2903 品牌: 意法半导体 封装: M229 N-Channel 65V 5A 100W | 功能相似 | 射频功率晶体管HF / VHF / UHF N沟道MOSFET RF POWER TRANSISTORS HF/VHF/UHF N-CHANNEL MOSFETs | BLF244和SD2903的区别 |