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BSR302N L6327

BSR302N L6327

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件
BSR302N L6327中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 750pF @15VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 2.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BSR302N L6327引脚图与封装图
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在线购买BSR302N L6327
型号 制造商 描述 购买
BSR302N L6327 Infineon 英飞凌 Trans MOSFET N-CH 30V 3.7A Automotive 3Pin SC-59 T/R 搜索库存