BSP125 H6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSP125 H6327中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 25 Ω
耗散功率 1.8 W
阈值电压 1.3 V
漏源击穿电压 600 V
上升时间 14.4 ns
输入电容Ciss 100pF @25VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSP125 H6327引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSP125 H6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP125 H6327 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4Pin SOT-223 T/R | 搜索库存 |