BLF147
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BLF147中文资料参数规格
技术参数
电源电压DC 28.0 V
额定电压DC 65.0 V
额定电流 25.0 A
漏源极电压Vds 65.0 V
漏源击穿电压 65.0V min
连续漏极电流Ids 25.0 A
增益 18.0 dB
封装参数
安装方式 Flange
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BLF147引脚图与封装图
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在线购买BLF147
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF147 | NXP 恩智浦 | VHF功率MOS晶体管 VHF power MOS transistor | 搜索库存 |
替代型号BLF147
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF147 品牌： NXP 恩智浦 封装： 65V 25A | 当前型号 | VHF功率MOS晶体管 VHF power MOS transistor | 当前型号 |
| 型号： MRF173 品牌： M/A-Com 封装： Case 220000mW | 功能相似 | N沟道宽带射频功率MOSFET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET | BLF147和MRF173的区别 |
| 型号： BLF147,112 品牌： 恩智浦 封装： SOT-121B | 功能相似 | Blf147 - Vhf功率Mos晶体管 | BLF147和BLF147,112的区别 |
| 型号： MRF174 品牌： M/A-Com 封装： 4Case 270000mW | 功能相似 | N沟道MOS宽带射频功率场效应管 N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET | BLF147和MRF174的区别 |