BSP373N H6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BSP373N H6327中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 177 mΩ
耗散功率 1.8 W
阈值电压 2.1 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 5.9 ns
输入电容Ciss 199pF @25VVds
下降时间 13.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1800 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 3.5 mm
高度 1.6 mm
封装 SOT-223-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
海关信息
ECCN代码 EAR99
BSP373N H6327引脚图与封装图
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在线购买BSP373N H6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP373N H6327 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A Automotive 4Pin3+Tab SOT-223 T/R | 搜索库存 |