BG3230 E6327
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
主动器件
BG3230 E6327中文资料参数规格
技术参数
频率 800 MHz
额定电压DC 8.00 V
额定电流 25 mA
输入电容 1.90 pF
漏源极电压Vds 8.00 V
连续漏极电流Ids 25.0 mA
增益 24 dB
额定电压 8 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BG3230 E6327引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| BG3230 E6327 | Infineon 英飞凌 | MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363 | 搜索库存 |