BSC0502NSIATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

表面贴装型 N 通道 26A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8-6

欧时:
Infineon MOSFET BSC0502NSIATMA1

得捷:
MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON

贸泽:
MOSFET LV POWER MOS

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 26A 8-Pin TDSON EP T/R

BSC0502NSIATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 43W Tc

输入电容 1200 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1600pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 and, E-fuse, Single-phase and multiphase POL, High power density voltage regulator, Or-ing, CPU/GPU VR in notebooks

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSC0502NSIATMA1引脚图与封装图

BSC0502NSIATMA1引脚图

BSC0502NSIATMA1封装图

BSC0502NSIATMA1封装焊盘图

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