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BSC0501NSIATMA1

BSC0501NSIATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

Summary of Features:

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Best-in-class on-state resistance
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Benchmark switching performance lowest figure of merits R on x Q g and

R on x Q gd

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RoHS compliant and halogen free
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Optimized EMI behavior integrated

damping network

Benefits:

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Highest efficiency
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Highest power density with S3O8 or Power Block package
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Reduction of overall system costs
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Operation at high-switching frequency
BSC0501NSIATMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 50 W

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 50W Tc

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 2200pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PG-TDSON-8

外形尺寸

长度 5.9 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.27 mm

封装 PG-TDSON-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 E-fuse, CPU/GPU VR in notebooks, High power density voltage regulator, Or-ing, Single-phase and multiphase POL, and

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

BSC0501NSIATMA1引脚图与封装图
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