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BSS139
Infineon 英飞凌 分立器件

BSS139 N沟道MOSFET 350V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ST 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护

Features

• N-channel

• Depletion mode

• dv/dtrated

• Available with VGSthindicator on reel

• Pb-free lead-plating; RoHS compliant


BSS139中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 30 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 mW

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 40.0 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 Onboard charger, Automotive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17

BSS139引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BSS139 Infineon 英飞凌 BSS139 N沟道MOSFET 350V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ST 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护 搜索库存
替代型号BSS139
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSS139

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23/SC-59 N-Channel 250V 40mA

当前型号

BSS139 N沟道MOSFET 350V 100mA/0.1A SOT-23/SC-59 marking/标记 ST 逻辑电平输入/热关机/过压保护/过载保护/过压保护

当前型号

型号: BSS139E6327

品牌: 英飞凌

封装: TO-236 250V 30mA 76pF

类似代替

Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

BSS139和BSS139E6327的区别

型号: BSS139L6906

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23-3 N-CH 250V 0.1A

类似代替

SOT-23 N-CH 250V 0.1A

BSS139和BSS139L6906的区别

型号: BSS139H6327

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

INFINEON  BSS139H6327  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 250 V, 7.8 ohm, 10 V, 1.4 V

BSS139和BSS139H6327的区别