BFG196

Infineon 英飞凌分立器件

NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

• For low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunication systems up to 1.5 GHz at collector currents from 20 mA to 80 mA

• Power amplifier for DECT and PCN Systems

• fT = 7.5 GHz

F = 1.5 dB at 900 GHz

Win Source:
TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223

BFG196中文资料参数规格

技术参数

耗散功率Max 800 mW

封装参数

封装 SOT-223-4

外形尺寸

封装 SOT-223-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFG196引脚图与封装图

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替代型号BFG196

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： BFG196 品牌： Infineon 英飞凌封装： TO-261-4	当前型号	NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor	当前型号
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