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BFR183
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

Summary of Features:

.
For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 2 mA to 30 mA
.
fT = 8 GHz, F = 0.9 dB at 900 MHz
.
Pb-free RoHS compliant package
.
Qualification report according to AEC-Q101 available

BFR183中文资料参数规格
封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

制造应用 For amplifier and oscillator applications in RF Front-end, Wireless Communications

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFR183引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BFR183 Infineon 英飞凌 NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor 搜索库存
替代型号BFR183
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFR183

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

当前型号

型号: MMBTH10-4LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 25V 4mA 225mW

功能相似

NPN 25 V 225 mW 表面贴装 硅 晶体管 - SOT-23

BFR183和MMBTH10-4LT1G的区别

型号: BFP405

品牌: 英飞凌

封装: SOT-343 NPN

功能相似

INFINEON  BFP405  晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 55 mW, 12 mA, 95 hFE

BFR183和BFP405的区别

型号: BFP183

品牌: 英飞凌

封装: SOT-143

功能相似

BFP183 NPN三极管 20V 60mA 8Ghz 50~200 SOT-143 marking/标记 RH 低噪声,高增益宽带放大器

BFR183和BFP183的区别