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Infineon 英飞凌 电子元器件分类
BCR135T中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

耗散功率Max 250 mW

封装参数

封装 SC-75

外形尺寸

封装 SC-75

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BCR135T引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCR135T Infineon 英飞凌 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor 搜索库存
替代型号BCR135T
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCR135T

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor

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型号: BCR133F

品牌: 英飞凌

封装:

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