BCR162F
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
BCR162F中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
封装 TSFP
外形尺寸
封装 TSFP
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BCR162F引脚图与封装图
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在线购买BCR162F
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCR162F | Infineon 英飞凌 | PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor | 搜索库存 |
替代型号BCR162F
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCR162F 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor | 当前型号 |
| 型号： BCR153F 品牌： 英飞凌 封装： | 完全替代 | PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor | BCR162F和BCR153F的区别 |
| 型号： BCR153T 品牌： 英飞凌 封装： | 类似代替 | PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital Transistor | BCR162F和BCR153T的区别 |
| 型号： R2001 品牌： 飞兆/仙童 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, | BCR162F和R2001的区别 |