BCR103
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
BCR103中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BCR103引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BCR103
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCR103 | Infineon 英飞凌 | NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor | 搜索库存 |
替代型号BCR103
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCR103 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital Transistor | 当前型号 |
| 型号： PDTC123ET 品牌： 恩智浦 封装： SOT-23 NPN 250mW | 类似代替 | NXP PDTC123ET 单晶体管 双极, BRT, NPN, 50 V, 250 mW, 100 mA, 30 hFE | BCR103和PDTC123ET的区别 |
| 型号： MMUN2231LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 NPN 50V 100mA 400mW | 功能相似 | MMUN 系列 50 V 100 mA 2.2 kOhm NPN 硅 偏置电阻 晶体管 - SOT-23 | BCR103和MMUN2231LT1G的区别 |
| 型号： PDTC123ET,215 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Nexperia PDTC123ET,215 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装 | BCR103和PDTC123ET,215的区别 |
