BCR198W
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Infineon
英飞凌
分立器件
BCR198W中文资料参数规格
技术参数
额定功率 0.25 W
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 70
封装参数
封装 SOT-323
外形尺寸
长度 2.00 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.90 mm
封装 SOT-323
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 End of Life
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCR198W引脚图与封装图
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在线购买BCR198W
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCR198W | Infineon 英飞凌 | BCR198W 带阻尼PNP三极管 -50V -70mA 70 0.25W/250mW SOT-323/SC-70 标记WR 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 | 搜索库存 |
替代型号BCR198W
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCR198W 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-323/SC-70 PNP | 当前型号 | BCR198W 带阻尼PNP三极管 -50V -70mA 70 0.25W/250mW SOT-323/SC-70 标记WR 开关电路，逆变器，接口电路，驱动电路 | 当前型号 |
| 型号： BCR198S 品牌： 英飞凌 封装： | 类似代替 | BCR198S PNP+PNP复合带阻尼三极管 -50V -70mA HEF=70 R1=R2=47KΩ 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WR 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 | BCR198W和BCR198S的区别 |
| 型号： MUN5137DW1T1G 品牌： 安森美 封装： SOT-363 PNP -50V -100mA 385mW | 功能相似 | 双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors | BCR198W和MUN5137DW1T1G的区别 |
| 型号： MUN2140T1G 品牌： 安森美 封装： SC-59-3 PNP 338mW | 功能相似 | 偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors | BCR198W和MUN2140T1G的区别 |
