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BC846PN
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

BC846PN NPN+PNP复合三极管 80V/-80V 100mA/-100mA 200~450 SOT-363 标记10 用于开关/数字电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 80V/-80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 65V/-65V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA/-100mA 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 250MHz 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 200~450 管压降VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW Description & Applications| Features • NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays • For AF input stage and driver applications • High current gain • Low collector-emitter saturation voltage • Two galvanic internal isolated NPN/PNP transistor in one package • Pb-free RoHS compliant package1 • Qualified according AEC Q101 描述与应用| 特点 •NPN / PNP硅AF晶体管阵列 •对于AF输入级和驱动器应用 •高电流增益 •低集电极 - 发射极饱和电压 •两个(电流)的内部分离NPN/ PNP晶体管在一个包 •无铅(符合RoHS)包1) •符合AEC Q101

BC846PN中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363-6-1

外形尺寸

封装 SOT-363-6-1

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC846PN引脚图与封装图
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BC846PN Infineon 英飞凌 BC846PN NPN+PNP复合三极管 80V/-80V 100mA/-100mA 200~450 SOT-363 标记10 用于开关/数字电路 搜索库存
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型号: BC846PN

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

BC846PN NPN+PNP复合三极管 80V/-80V 100mA/-100mA 200~450 SOT-363 标记10 用于开关/数字电路

当前型号

型号: MUN5316DW1T1G

品牌: 安森美

封装: SOT-363 NPN 50V 100mA 385mW

功能相似

MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻晶体管 - SOT-363

BC846PN和MUN5316DW1T1G的区别

型号: PUMD6,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT-363 NPN 300mW

功能相似

NXP  PUMD6,115  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-363

BC846PN和PUMD6,115的区别