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BAT68-08S
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

BAT68-08S 并行肖特基二极管 8V 130mA/0.13A 500mV/0.5V SOT-363/SC70-6 marking/标记 83 高速开关 VHF/UHF混频器

反向电压VrReverse Voltage| 8V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 130mA/0.13A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 500mV/0.5V 最大耗散功率PdPower dissipation| 150MW/0.15W Description & Applications| .Silicon Schottky Diodes。 .For mixer applications in the VHF/UHF range。 .For high-speed switching。 •Parallel parallel schottky barrier diode . 描述与应用| 硅肖特基二极管。 VHF/ UHF混频器。 高速切换。 •3个肖特基势垒二极管并行。


Win Source:
DIODE SCHOTTKY 8V 130MA SOT-363


BAT68-08S中文资料参数规格
技术参数

耗散功率Max 150 mW

封装参数

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BAT68-08S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BAT68-08S Infineon 英飞凌 BAT68-08S 并行肖特基二极管 8V 130mA/0.13A 500mV/0.5V SOT-363/SC70-6 marking/标记 83 高速开关 VHF/UHF混频器 搜索库存
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型号: BAT68-08S

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

BAT68-08S 并行肖特基二极管 8V 130mA/0.13A 500mV/0.5V SOT-363/SC70-6 marking/标记 83 高速开关 VHF/UHF混频器

当前型号

型号: 1PS88SB82,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT363 6Pin

功能相似

120mA,NXP Semiconductors高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。

BAT68-08S和1PS88SB82,115的区别

型号: 1PS88SB82

品牌: 恩智浦

封装: SOT-363 340mV

功能相似

NXP  1PS88SB82  小信号肖特基二极管, 三独立式, 15 V, 30 mA, 700 mV, 125 °C

BAT68-08S和1PS88SB82的区别