BUZ102S
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
电子元器件分类
BUZ102S中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 52A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
外形尺寸
封装 TO-220
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BUZ102S引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| BUZ102S | Infineon 英飞凌 | SIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定的dv / dt评分） SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated dv/dt rated | 搜索库存 |