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Infineon 英飞凌 电子元器件分类

SIPMOS®功率晶体管 SIPMOS㈢ Power Transistor

SIPMOS Power Transistor

Product Summary

Drain source voltage VDS  55V

Drain-Source on-state resistance RDSon 0.01Ω

Continuous drain current ID  80A

Features

• N channel

• Enhancement mode

• Avalanche rated

• dv/dtrated

• 175 ˚C operating temperature


BUZ110S中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BUZ110S引脚图与封装图
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