锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSZ0500NSIATMA1

BSZ0500NSIATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

表面贴装型 N 通道 30 V 30A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL


得捷:
MOSFET N-CH 30V 30A/40A 8TSDSON


欧时:
Infineon BSZ0500NSIATMA1


立创商城:
N沟道 30V 40A 30A


贸泽:
MOSFET TRENCH <= 40V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TSDSON EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8SON


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin TSDSON EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON / N-Channel 30 V 30A Ta, 40A Tc 2.1W Ta, 69W Tc Surface Mount PG-TSDSON-8-FL


BSZ0500NSIATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 3400pF @15VVds

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8-FL

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON-8-FL

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 and, CPU/GPU VR in notebooks, High power density voltage regulator, Single-phase and multiphase POL, E-fuse, Or-ing

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSZ0500NSIATMA1引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSZ0500NSIATMA1
型号 制造商 描述 购买
BSZ0500NSIATMA1 Infineon 英飞凌 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3 搜索库存