BSZ0502NSIATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

表面贴装型 N 通道 30 V 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），43W（Tc） PG-TSDSON-8-FL

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BSZ0502NSIATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 22A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 1600pF @15VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta, 43W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PG-TSDSON-8-FL

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 1.1 mm

封装 PG-TSDSON-8-FL

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 CPU/GPU VR in notebooks, E-fuse, Single-phase and multiphase POL, Or-ing, High power density voltage regulator, and

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSZ0502NSIATMA1引脚图与封装图

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