BSC882N03LSGATMA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

LV 功率 MOS

BSC882N03LS G, SP000686916

立创商城:
N沟道 34V

得捷:
MOSFET N-CH 34V 8TDSON

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 34 V, 4.2 mohm, 10 V, 2.2 V

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OPTIMOS 3 M-SERIES POWER-MOSFET

BSC882N03LSGATMA1中文资料参数规格

技术参数

针脚数 5

漏源极电阻 0.0042 Ω

耗散功率 -

阈值电压 2.2 V

漏源极电压Vds 34 V

输入电容Ciss 3700pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 REEL

外形尺寸

封装 REEL

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

BSC882N03LSGATMA1引脚图与封装图

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