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BLF8G22L-160BV,112

BLF8G22L-160BV,112

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 160W LDMOS TRANSISTR

RF Mosfet CDFM6


得捷:
TRANSISTOR CDFM6


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 160W LDMOS TRANSISTR


BLF8G22L-160BV,112中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-1120-7

外形尺寸

封装 SOT-1120-7

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G22L-160BV,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF8G22L-160BV,112 NXP 恩智浦 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 160W LDMOS TRANSISTR 搜索库存