BZT52B2V7S RR

Taiwan Semiconductor 台湾半导体分立器件

200mW，BZT52B...S 系列，Taiwan Semiconductor齐纳电压容差为 2% 表面安装外壳：SOD-323F ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor

齐纳 200mW，BZT52B...S 系列，

齐纳电压容差为 2%

表面安装外壳：SOD-323F

### ，Taiwan Semiconductor

欧时:
Taiwan Semiconductor BZT52B2V7S RR 单路齐纳二极管, 2.7V 2% 200 mW, 2引脚 SOD-323F封装

艾睿:
Diode Zener Single 2.7V 2% 200mW 2-Pin SOD-323F

Allied Electronics:
Zener Diode 2.7V 2% 200mW SOD323F

BZT52B2V7S RR中文资料参数规格

技术参数

测试电流 5 mA

稳压值 2.7 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-323

外形尺寸

长度 1.8 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOD-323

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BZT52B2V7S RR引脚图与封装图

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