
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.1A
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SOT-323-3
封装 SOT-323-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BC858BWE6327 | Infineon 英飞凌 | SOT-323 PNP 30V 0.1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BC858BWE6327 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-323 PNP 45V 100mA | 当前型号 | SOT-323 PNP 30V 0.1A | 当前型号 | |
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型号: BC858B-7-F 品牌: 美台 封装: SOT-23-3 PNP 350mW | 功能相似 | DIODES INC. BC858B-7-F 单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 330 hFE | BC858BWE6327和BC858B-7-F的区别 | |
型号: BC858B,215 品牌: 安世 封装: TO-236AB | 功能相似 | Nexperia BC858B,215 , PNP 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:220, 3引脚 SOT-23封装 | BC858BWE6327和BC858B,215的区别 |