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BCR119S
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

BCR119S NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 120~630 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WK 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| 100mA Q1基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| Q1电阻比R1/R2 Q1 Resistance Ratio| Q2基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| Q2电阻比R1/R2 Q2 Resistance Ratio| 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 120~630 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 150MHz 耗散功率Pc Power Dissipation| 250mW/0.25W Description & Applications| Features •NPN Silicon Digital Transistor •Switching circuit, inverter, interface circuit,driver circuit •Built in bias resistor R1=4.7k •For 6-PIN packages: two galvanic internal isolated transistors with good matching in one package 描述与应用| 特点 •NPN硅数字晶体管 •开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 •内置偏置电阻(R1=4.7K) •6-PIN封装:两个(电流)的内部隔离晶体管具有良好的匹配在一个封装中

BCR119S中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

封装参数

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR119S引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BCR119S Infineon 英飞凌 BCR119S NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 120~630 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WK 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路 搜索库存
替代型号BCR119S
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCR119S

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

BCR119S NPN+NPN复合带阻尼三极管 50V 100mA 120~630 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记WK 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

当前型号

型号: BCR148W

品牌: 英飞凌

封装:

类似代替

BCR148W 带阻NPN三极管 50V 70mA 47k 47k SOT-323/SC-70 marking/标记 WE 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

BCR119S和BCR148W的区别

型号: BCR133W

品牌: 英飞凌

封装:

类似代替

BCR133W 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 10k 10k SOT-323/SC-70 marking/标记 WC 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

BCR119S和BCR133W的区别

型号: BCW32LT1G

品牌: 安森美

封装: SOT-23 NPN 32V 100mA 300mW

功能相似

ON SEMICONDUCTOR  BCW32LT1G  单晶体管 双极, NPN, 32 V, 225 mW, 100 mA, 200 hFE

BCR119S和BCW32LT1G的区别