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BFR181WE6327

BFR181WE6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 主动器件

NPN Silicon RF Transistor

RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount SOT-323


得捷:
LOW-NOISE TRANSISTOR


BFR181WE6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 4.00 V

额定电流 130 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BFR181WE6327引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BFR181WE6327 Infineon 英飞凌 NPN Silicon RF Transistor 搜索库存
替代型号BFR181WE6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BFR181WE6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-323 4V 130mA

当前型号

NPN Silicon RF Transistor

当前型号

型号: BFR183W

品牌: 英飞凌

封装: SOT323 NPN

完全替代

NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor

BFR181WE6327和BFR183W的区别

型号: BFP196W

品牌: 英飞凌

封装: SOT343

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Infineon### 双极晶体管,Infineon

BFR181WE6327和BFP196W的区别

型号: BFP420

品牌: 英飞凌

封装: SOT-343 NPN

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