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BCP56-16E6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BCP56-16E6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 1.00 A

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCP56-16E6327引脚图与封装图
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在线购买BCP56-16E6327
型号 制造商 描述 购买
BCP56-16E6327 Infineon 英飞凌 用于AF的驱动级和输出级 For AF driver and output stages 搜索库存
替代型号BCP56-16E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCP56-16E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 NPN 80V 1A

当前型号

用于AF的驱动级和输出级 For AF driver and output stages

当前型号

型号: BCP56-16

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223

完全替代

NPN硅晶体管自动对焦 NPN Silicon AF Transistors

BCP56-16E6327和BCP56-16的区别

型号: BCP56-10E6327

品牌: 英飞凌

封装:

完全替代

SOT-223 NPN 80V 1A

BCP56-16E6327和BCP56-10E6327的区别

型号: BCP56-10E6433

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 NPN 80V 1A

完全替代

SOT-223 NPN 80V 1A

BCP56-16E6327和BCP56-10E6433的区别