BCP53-10E6327
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Infineon
英飞凌
分立器件
BCP53-10E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223-4
外形尺寸
封装 SOT-223-4
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCP53-10E6327引脚图与封装图
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在线购买BCP53-10E6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCP53-10E6327 | Infineon 英飞凌 | SOT-223 PNP 80V 1A | 搜索库存 |
替代型号BCP53-10E6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCP53-10E6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 PNP 80V 1A | 当前型号 | SOT-223 PNP 80V 1A | 当前型号 |
| 型号： BCP5310E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 PNP | 类似代替 | SOT-223 PNP 80V 1A | BCP53-10E6327和BCP5310E6327HTSA1的区别 |
| 型号： BCP53-10 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors | BCP53-10E6327和BCP53-10的区别 |
