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BC857SE6327

BC857SE6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

集成电路

Bipolar BJT Transistor


得捷:
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R


Win Source:
TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363


BC857SE6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -45.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC857SE6327引脚图与封装图
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在线购买BC857SE6327
型号 制造商 描述 购买
BC857SE6327 Infineon 英飞凌 集成电路 搜索库存
替代型号BC857SE6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC857SE6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-363 PNP 45V 100mA

当前型号

集成电路

当前型号

型号: BC857SE6433

品牌: 英飞凌

封装: SOT-363 PNP 45V 100mA

完全替代

SOT-363 PNP 45V 0.1A

BC857SE6327和BC857SE6433的区别

型号: BC857S

品牌: 英飞凌

封装:

类似代替

BC857S PNP+PNP复合三极管 -50V -200mA HEF=125~630 SOT-363 标记3C 用于开关/数字电路

BC857SE6327和BC857S的区别