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BCX69-16E6327

BCX69-16E6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BCX69-16E6327中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCX69-16E6327引脚图与封装图
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在线购买BCX69-16E6327
型号 制造商 描述 购买
BCX69-16E6327 Infineon 英飞凌 Trans GP BJT PNP 20V 1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R 搜索库存
替代型号BCX69-16E6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BCX69-16E6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

Trans GP BJT PNP 20V 1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

当前型号

型号: BCX69-25

品牌: 英飞凌

封装: SOT-89 PNP

完全替代

PNP硅晶体管自动对焦 PNP Silicon AF Transistors

BCX69-16E6327和BCX69-25的区别

型号: BCX69-25E6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-89 20V 1A

完全替代

SOT89/AF TRANSISTOR

BCX69-16E6327和BCX69-25E6327的区别

型号: BCX69-10E6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-89 20V 1A

类似代替

Trans GP BJT PNP 20V 1A 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

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