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BCR158WE6327

BCR158WE6327

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Infineon 英飞凌 分立器件

SOT-323 PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 250 mW Surface Mount PG-SOT323-3-1


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得捷:
BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-323 T/R


BCR158WE6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 200 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR158WE6327引脚图与封装图
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