锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BC857SH6327

BC857SH6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

SOT-363 PNP 45V 0.1A

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 45V 100mA 250MHz 250mW Surface Mount PG-SOT363-6


得捷:
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR


TME:
Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 100mA; 250mW; SOT363


BC857SH6327中文资料参数规格
技术参数

频率 250 MHz

极性 PNP

耗散功率 250 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-363

外形尺寸

封装 SOT-363

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC857SH6327引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BC857SH6327
型号 制造商 描述 购买
BC857SH6327 Infineon 英飞凌 SOT-363 PNP 45V 0.1A 搜索库存