BF998E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BF998E6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 12.0 V
额定电流 30 mA
极性 N-Channel
耗散功率 200 mW
漏源极电压Vds 12.0 V
连续漏极电流Ids 300 mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143
外形尺寸
宽度 1.3 mm
封装 SOT-143
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC
BF998E6327引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BF998E6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF998E6327 | Infineon 英飞凌 | N沟道 12V 30mA | 搜索库存 |
替代型号BF998E6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF998E6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-143 N-Channel 12V 300mA | 当前型号 | N沟道 12V 30mA | 当前型号 |
| 型号： BF998 品牌： 西门子 封装： | 功能相似 | BF998 N沟道MOSFET 12V 30mA SOT-143 marking/标记 MO | BF998E6327和BF998的区别 |