BSP299L6327
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Infineon
英飞凌
分立器件
BSP299L6327中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 400 mA
极性 N-Channel
耗散功率 1.50 W
输入电容 400 pF
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 400 mA
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
外形尺寸
封装 SOT-223
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BSP299L6327引脚图与封装图
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在线购买BSP299L6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSP299L6327 | Infineon 英飞凌 | MOSFET, N, LOGIC, REEL 1K | 搜索库存 |
替代型号BSP299L6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BSP299L6327 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 500V 400mA 400pF | 当前型号 | MOSFET, N, LOGIC, REEL 1K | 当前型号 |
| 型号： BSP299 品牌： 英飞凌 封装： SOT-223 N-Channel 500V 400mA | 类似代替 | Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET | BSP299L6327和BSP299的区别 |
| 型号： BSP299H6327 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 500V,4000mΩ,0.4A,N沟道小信号MOSFET | BSP299L6327和BSP299H6327的区别 |