
额定电压DC 45.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 1A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 200 MHz
耗散功率Max 1500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-223
封装 SOT-223
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BSP50E6327 | Infineon 英飞凌 | SOT-223 NPN 45V 1A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BSP50E6327 品牌: Infineon 英飞凌 封装: SOT-223 NPN 45V 1A | 当前型号 | SOT-223 NPN 45V 1A | 当前型号 | |
型号: BSP52T1G 品牌: 安森美 封装: SOT-223 NPN 80V 1A 1250mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR BSP52T1G 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE | BSP50E6327和BSP52T1G的区别 | |
型号: BSP52 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-223 NPN 10V 1A | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSP52 达林顿双极性晶体管 | BSP50E6327和BSP52的区别 | |
型号: BSP50 品牌: 飞兆/仙童 封装: SOT-223 NPN 45V 800mA 1000mW | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSP50 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 1 W, 800 mA, 1000 hFE | BSP50E6327和BSP50的区别 |