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BCW68GE6327

BCW68GE6327

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件

SOT-23 PNP 45V 0.8A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 3-Pin SOT-23 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 45V; 800mA; 330mW; SOT23


罗切斯特:
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BCW68GE6327中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

极性 PNP

耗散功率 330 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 End of Life

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW68GE6327引脚图与封装图
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BCW68GE6327 Infineon 英飞凌 SOT-23 PNP 45V 0.8A 搜索库存
替代型号BCW68GE6327
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型号: BCW68GE6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-23 PNP

当前型号

SOT-23 PNP 45V 0.8A

当前型号

型号: BCW68GE6433

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP

完全替代

SOT-23 PNP 45V 0.8A

BCW68GE6327和BCW68GE6433的区别