BSC886N03LS G
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSC886N03LS G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 6 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
上升时间 3.2 ns
输入电容Ciss 2100pF @15VVds
额定功率Max 39 W
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2500 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 TDSON-8
外形尺寸
长度 5.9 mm
宽度 5.15 mm
高度 1.27 mm
封装 TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSC886N03LS G引脚图与封装图
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| BSC886N03LS G | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8Pin TDSON EP T/R | 搜索库存 |