BCW 60D E6327

Infineon 英飞凌分立器件

Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 32 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23

得捷:
TRANS NPN 32V 0.1A SOT23

立创商城:
32V 100mA

安富利:
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

罗切斯特:
Trans GP BJT NPN 32V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R

BCW 60D E6327中文资料参数规格

技术参数

额定功率 0.3333333333333333 W

耗散功率 330 mW

最小电流放大倍数hFE 380

最大电流放大倍数hFE 630

耗散功率Max 330 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 1 mm

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCW 60D E6327引脚图与封装图

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