BCR555E6433
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Infineon
英飞凌
分立器件
BCR555E6433中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
最小电流放大倍数hFE 70
工作温度Max 150 ℃
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
BCR555E6433引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BCR555E6433 | Infineon 英飞凌 | Infineon Infineon 的一系列双极性结点晶体，配有集成电阻器，允许直接从数字来源驱动，无需其他元件。 双电阻器设备具有串行输入电阻器和连接晶体管基座与发射器的电阻器。 ### 数字晶体管，Infineon 配备电阻器的双极性晶体管也称为数字晶体管或偏流电阻器的晶体管，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。 | 搜索库存 |