BSD816SN L6327
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
BSD816SN L6327中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
漏源极电压Vds 20 V
输入电容Ciss 180pF @10VVds
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.9 mm
封装 SOT-363-6
其他
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BSD816SN L6327引脚图与封装图
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在线购买BSD816SN L6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BSD816SN L6327 | Infineon 英飞凌 | Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive 6Pin SOT-363 T/R | 搜索库存 |