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BSP88L6327

BSP88L6327

Infineon 英飞凌 分立器件
BSP88L6327中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 240 V

额定电流 350 mA

极性 N-Channel

输入电容 95.0 pF

栅电荷 6.80 nC

漏源极电压Vds 240 V

连续漏极电流Ids 350 mA

输入电容Ciss 95pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261

外形尺寸

封装 TO-261

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

BSP88L6327引脚图与封装图
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在线购买BSP88L6327
型号 制造商 描述 购买
BSP88L6327 Infineon 英飞凌 Power Field-Effect Transistor, 0.35A ID, 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4 搜索库存
替代型号BSP88L6327
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP88L6327

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 240V 350mA 95pF

当前型号

Power Field-Effect Transistor, 0.35A ID, 240V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC PACKAGE-4

当前型号

型号: BSP129E6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 240V 200mA

类似代替

MOSFET N-CH 240V 350mA SOT223

BSP88L6327和BSP129E6327的区别

型号: BSP129L6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 240V 50mA 108pF

类似代替

240V,0.05A,N沟道功率MOSFET

BSP88L6327和BSP129L6327的区别

型号: BSP125

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 600V 120mA

功能相似

INFINEON  BSP125  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V

BSP88L6327和BSP125的区别