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BSP135L6906

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
BSP135L6906中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 1.10 A

输入电容 146 pF

栅电荷 4.90 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 120 mA

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-223

外形尺寸

封装 SOT-223

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSP135L6906引脚图与封装图
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在线购买BSP135L6906
型号 制造商 描述 购买
BSP135L6906 Infineon 英飞凌 N沟道 600V 120A 搜索库存
替代型号BSP135L6906
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BSP135L6906

品牌: Infineon 英飞凌

封装: SOT-223 600V 120mA 146pF

当前型号

N沟道 600V 120A

当前型号

型号: BSP125

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 600V 120mA

完全替代

INFINEON  BSP125  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 120 mA, 600 V, 45 ohm, 10 V, 1.9 V

BSP135L6906和BSP125的区别

型号: BSP135

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223/SC-73/TO261-4 N-Channel

完全替代

Infineon SIPMOS® N 通道 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

BSP135L6906和BSP135的区别

型号: BSP135L6327

品牌: 英飞凌

封装: SOT-223 N-Channel 600V 120mA 146pF

完全替代

600V,0.02A,N沟道功率MOSFET

BSP135L6906和BSP135L6327的区别