锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BSO207P H
Infineon(英飞凌) 分立器件

Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8Pin DSO Dry

Summary of Features:

.
Enhancement mode
.
Normal level, logic level or super logic level
.
Avalanche rated
.
Pb-free lead plating; RoHS compliant

贸泽:
MOSFET P-Ch -20V -5.7A DSO-8 OptiMOS P


Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8-Pin DSO Dry


罗切斯特:
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 8-Pin DSO Dry


DeviceMart:
MOSFET 2P-CH 20V 5A DSO-8


BSO207P H中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Onboard charger

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BSO207P H引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BSO207P H
型号 制造商 描述 购买
BSO207P H Infineon 英飞凌 Trans MOSFET P-CH 20V 5A 8Pin DSO Dry 搜索库存